项目介绍：

高性能超薄（0.1～0.5mm）氧化铝陶瓷基片由于强度高、导热性好、介质损耗小（＜10^-4）、微波透过性好等优点，在薄膜电路中已成为一种基础材料。在薄膜电路中，采用真空蒸发、溅射等薄膜工艺，在抛光的陶瓷基板表面上制作Ag或Au导线，可集成晶体管、二极管等有源元件和电阻、电容、电感、空气桥等无源元件，可承受较大电流载荷，适合5G基站间高频通讯（20～30GHz）以及大功率雷达（通常在100千瓦以上），体积小、重量轻、可靠性高等要求。

本项目研究开发的超薄氧化铝陶瓷基片，晶粒尺寸小、强度高、密度高，同时克服了传统流延成型陶瓷基片过程中无法回避的收缩变形、生坯密度低等技术问题，可以批量化生产。

超薄氧化铝陶瓷基片

技术指标：

1、产品纯度（Al₂O₃）≥99.6%、密度为3.9 g/cm³；

2、产品颗粒尺寸≤1um、弯曲强度为620N/mm²；

3、产品表面光洁度＜50 um、损耗因子为0.001（1MHz）；

4、产品绝缘强度为23.6KV/mm、翘曲度≤0.003in/in。

产业化前景：

本项目所制备的超薄氧化铝陶瓷基片，拥有完全自主知识产权，可与美日同类产品相媲美。市场调研表明，2020年度全国高性能氧化铝陶瓷基片需求量在60～70万片。同时本技术在工业陶瓷领域也具有一定的应用前景。

投资预算及收益：

目前高性能超薄氧化铝陶瓷基片设备投资约300万元，流动资金200万，年产量约为50万片，产品生产成本10元/片，市场售价100～150元/片，因此具有很高的投资回报率。